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型號
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KM50-E
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精度
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電壓
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±1.0%F.S.±1digit(環(huán)境溫度23℃、額定輸入、額定頻率)
但三相3線制的Vtr間電壓和單相3線制的Vrs間電壓在相同條件下為±2.0%F.S.±1digit
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電流
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±1.0%F.S.±1digit(環(huán)境溫度23℃、額定輸入、額定頻率)
但三相3線制的S相電流和單相3線制的N相電流在相同條件下為±2.0%F.S.±1digit
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瞬時(shí)功率
無功功率
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±2.0%F.S.±1digit(環(huán)境溫度23℃、額定輸入、額定頻率、功率因數(shù)1)
無功功率計(jì)算公式：無功功率＝v×i×sinθ
* v表示電壓的瞬時(shí)值、i表示電流的瞬時(shí)值。
θ為電壓和電流的相位差
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頻率
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±0.3Hz±1digit(環(huán)境溫度23℃、額定輸入、額定頻率)
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功率因數(shù)
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±5.0%F.S.±1digit(環(huán)境溫度23℃、額定輸入、額定頻率、cosθ＝0.5～1～0.5的范圍)
功率因數(shù)計(jì)算公式：功率因數(shù)＝瞬時(shí)功率/視在功率
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低切電流設(shè)定值
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額定電流輸入的0.1～19.9%(以0.1%為單位)
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采樣周期
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100ms(計(jì)測電壓50Hz時(shí))、83.3ms(計(jì)測電壓60Hz時(shí))
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溫度的影響
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±1.0%F.S.±1digit(使用溫度范圍內(nèi)，環(huán)境溫度23℃、額定輸入、額定頻率、功率因數(shù)1時(shí)的功率比例)
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頻率的影響
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±1.0%F.S.±1digit(額定頻率±5Hz的范圍內(nèi)，額定輸入、功率因數(shù)1時(shí)的功率比例)
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高次諧波的影響
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±0.5%F.S.±1digit(環(huán)境溫度23℃、相對于基波的電流30%、
電壓5%含有率時(shí)疊加第2、3、5、7、9、11、13次高次諧波時(shí)的誤差)
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絕緣電阻
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1) 整個(gè)電源電路和RS-485、脈沖輸出、事件輸入、輸入輸出公共端、報(bào)警輸出、
所有晶體管輸出間：20MΩ以上(DC500V兆歐表)
2) 所有電流、電壓輸入和RS-485、脈沖輸出、事件輸入、輸入輸出公共端、報(bào)警輸出、
所有晶體管輸出間：20MΩ以上(DC500V兆歐表)
3) 所有電流、電壓輸入與前蓋間：20MΩ以上(DC500V兆歐表)
4) 整個(gè)電源電路與前蓋間：20MΩ以上(DC500V兆歐表)
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耐電壓
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1) 整個(gè)電源電路和RS-485、脈沖輸出、事件輸入、輸入輸出公共端、報(bào)警輸出、
所有晶體管輸出間：AC2800V 1分鐘
2) 所有電流、電壓輸入和RS-485、脈沖輸出、事件輸入、輸入輸出公共端、報(bào)警輸出、
所有晶體管輸出間：AC3600V 1分鐘
3) 所有電流、電壓輸入與前蓋間：AC3600V 1分鐘
4) 整個(gè)電源電路和前蓋間：AC2800V 1分鐘
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耐振動(dòng)
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單振幅：0.35mm、加速度：50m/s2、振動(dòng)頻率：10～150Hz
3軸方向各 8min×10次掃描
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耐沖擊
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150m/s2 上下、左右、前后6個(gè)方向、各3次
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本體重量
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約250g(僅本體)
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保護(hù)構(gòu)造
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正面：IP66(安裝面板時(shí))、背面外殼：IP20、端子部：IP00
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存儲(chǔ)器保護(hù)
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EEPROM(非易失性存儲(chǔ)器) 寫入次數(shù)：100萬次
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適用標(biāo)準(zhǔn)
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EN61010-1(IEC61010-1)、EN61326-1(IEC61326-1)
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事件輸入
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輸入點(diǎn)數(shù)
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事件輸入2點(diǎn)
事件輸入2點(diǎn)為通用的公共端子
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有電壓輸入
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H電平：DC4.75～30V
L電平 ：DC0～2V
輸入阻抗：約2kΩ
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無電壓輸入
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ON電阻 ：1kΩ以下
OFF電阻：100kΩ以上
ON時(shí)剩余電壓：8V以下
ON時(shí)電流(0Ω時(shí))：10mA以下
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*小輸入時(shí)間
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20ms
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晶體管輸出
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輸出點(diǎn)數(shù)
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開路集電極5點(diǎn)(累計(jì)電量脈沖輸出1點(diǎn)、報(bào)警輸出1點(diǎn)、3-STATE輸出3點(diǎn))
累計(jì)電量脈沖輸出和報(bào)警輸出為通用的公共端子
3-STATE輸出3點(diǎn)為通用的公共端子
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輸出容量
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DC30V，30mA MAX
ON時(shí)剩余電壓：1.2V以下
OFF時(shí)漏電流：100μA以下
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EMC(工業(yè)用途)
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EMI
EN61326-1
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輻射干擾電場強(qiáng)度CISPR11 classA
噪音端子電壓CISPR11 classA
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EMS
EN61326-1
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靜電放電抑制能力：EN61000-4-2
電磁場強(qiáng)度抑制能力：EN61000-4-3
瞬態(tài)/突發(fā)噪音抑制能力：EN61000-4-4
浪涌抑制能力：EN61000-4-5
傳導(dǎo)干擾波抑制能力：EN61000-4-6
電源頻率磁場抑制能力：EN61000-4-8
電壓陷落/斷電抑制能力：EN61000-4-11
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